文章摘要:为提升现代单极型功率二极管的性能,进一步突破“硅极限”,通过加大传统JBS二极管中P+区结深,引入超级结结构以减薄芯片厚度,缓解传统单极型器件通态压降与反向阻断电压之间的矛盾,提高单位面积器件的导通电流密度。本文使用数值方法分析了超级结JBS二极管中P柱区浓度、N柱区宽度和N柱区浓度对正向导通特性,反向阻断特性的影响,应用电场耦合效应理论分析了超级结JBS二极管的正向导通和反向阻断机理,设计了一款300V的超级结JBS二极管。
文章关键词:超级结,JBS二极管,正向导通特性,反向阻断特性,电场耦合效应,
论文作者:刘勇 关艳霞
作者单位:沈阳工业大学信息科学与工程学院
论文分类号: TN311.7
相关文章:可再生能源互联网中的微电子技术.....作者:黄如